این طور که از شواهد مشخص است، سامسونگ به زودی و تا پایان ماه ژوئن رسماً تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری را آغاز می کند. مطابق با گزارشی که در پایگاه خبری Yonhap News منتشر شده، سامسونگ به این ترتیب از TSMC در این زمینه پیشی خواهد گرفت. تا قبل از این خبر شروع تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری TSMC در نیمه دوم سال جاری اعلام شده بود.
تراشه 3 نانومتری سامسونگ در مقایسه با تراشه های فعلی 5 نانومتری تا 35 درصد مساحت کمتری دارد، تا 30 درصد قدرتمندتر است و تا 50 درصد مصرف برق پایین تری دارد. به این ترتیب سامسونگ در یک چیپ به مراتب کوچکتر، به قدرت عملکرد بالاتری دست خواهد یافت که می تواند برای تولید کنندگان گوشی های هوشمند خبر بسیار خوبی باشد! لازم به ذکر است که فرآیند 5 نانومتری در حال حاضر در تراشه هایی مانند تراشه کوالکوم اسنپ دراگون 888 و اگزینوس 2100 مورد استفاده قرار گرفته است.
یکی از عواملی که در دستیابی به پرفورمنس بالاتر تراشه در مساحت کمتر به سامسونگ کمک کرده باشد، سوئیچ کردن به معماری Gate-All-Around (GAA) در طراحی ترانزیستورها بوده است. این معماری یک قدم جلوتر نسبت به FinFET است و به تولید کنندگان اجازه می دهد تا بتوانند اندازه ترانزیستورها را بدون اینکه به توانایی آنها در حمل جریان برق آسیبی وارد شود، کوچکتر کنند. در تصویر می توانید مراحل تکامل ترانزیستورهای قابل استفاده در تراشه های موبایل را مشاهده کنید.
نکته جالب در این رابطه این است که جو بایدن، رئیس جمهور ایالات متحده آمریکا، چندی پیش در مراسم رونمایی سامسونگ از فناوری ساخت تراشه 3 نانومتری شرکت کرده و از کارخانه این شرکت در پیونگ تیک بازدید کرده است. این اقدام می تواند در راستای مذاکرات سال گذشته سامسونگ و مقامات آمریکایی اتفاق افتاده باشد. سامسونگ طی این مذاکرات اعلام کرده بود که می تواند تا 10 میلیارد دلار برای ساخت کارخانه تولید تراشه 3 نانومتری در تکزاس آمریکا سرمایه گذاری کند. اکنون این میزان سرمایه گذاری به 17 میلیارد دلار افزایش پیدا کرده و انتظار می رود که عملیات ساخت این کارخانه در آمریکا از سال 2024 آغاز شود.
به هر حال بزرگترین نگرانی در رابطه با فناوری 3 نانومتری، بازدهی آن است. سامسونگ در اکتبر سال گذشته عنوان کرده بود که بازدهی فرآیند تولید 3 نانومتری در سطحی مشابه با فرآیند 4 نانومتری قرار خواهد داشت. با این وجود بررسی های جدید انجام شده بر روی لیتوگرافی 4 نانومتری سامسونگ و اعداد به دست آمده از این بررسی ها، بیانگر وجود مشکلات نگران کننده ای در رابطه با بازدهی آن بوده است.
پیش بینی می شود که نسل دوم فرآیند تولید تراشه 3 نانومتری در سال 2023 در دسترس قرار گیرد. همچنین مطابق با چشم انداز کاری سامسونگ، این غول کره ای قصد دارد تا فرآیند 2 نانومتری را نیز تا سال 2025 عرضه کند. این فناوری بر مبنای الگوی طراحی ترانزیستور MBCFET عمل خواهد کرد.
منبع: gsmarena
